Samsung приступила к выпуску микросхем памяти DDR4 емкостью 4 Гбит и модулей SDRAM на их основе емкостью 16 и 32 ГБ.

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти DDR4 емкостью 4 Гбит. Чипы производятся на базе 20-нм технологической нормы.

DDR (Double-Data-Rate) - память с удвоенной скоростью передачи данных, используемая в вычислительной технике в качестве ОЗУ. В Samsung считают, что память DDR четвертого поколения найдет широкое применение, прежде всего, в серверной индустрии - в строительстве дата-центров нового поколения.

На основе новых чипов компания разработала модули памяти SDRAM емкостью 16 и 32 ГБ, что в 2-4 раза превышает емкость распространенных на сегодняшний день модулей емкостью 8 ГБ, производимых на базе 30-нм техпроцесса.

Использование памяти DDR4 позволит повысить производительность дата-центров и существенно сократить совокупные затраты на электроэнергию, утверждают в Samsung. По сравнению с DDR3 новая память, при условии что обе изготовлены на базе 20-нм нормы, обладает более чем на 30% меньшим энергопотреблением. При этом скорость передачи данных DDR4 составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза превышает показатель памяти предыдущего поколения.

Запуск новой памяти в массовое производство - очередной шаг Samsung по расширению и развитию своего портфеля. В 2008 г. компания представила микросхемы памяти DDR3 емкостью 2 Гбит, выполненные по 50-нм технологической норме, а ранее в 2013 г. приступила к выпуску модулей DDR3 емкостью 16 ГБ.

За последний месяц это уже второй анонс Samsung, связанный с началом массового производства памяти нового типа. В начале августа корейская компания сообщила о том, что приступила к выпуску чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ, в которых впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре. Samsung является крупнейшим производителем компьютерной памяти.