Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области оперативной памяти, объявила о начале массового производства первой в мире памяти GDDR5 ёмкостью 8 гигабит, которая изготавливается по 20 нм технологическому процессу.

Как не трудно догадаться, новые микросхемы предназначены для графических плат и плат модульных суперкомпьютеров. С ростом требований к 3D играм, а также популярности видео сверхвысокого разрешения, возросли и требования к высокоскоростной передаче больших объёмов данных в графических системах.

Новая 8 Гб память Samsung предлагает беспрецедентную пропускную способность, ведь собрав всего восемь чипов, можно получить целых 8 ГБ видеопамяти, вдвое больше, чем на современных высокопроизводительных графических платах и столько же, сколько есть в нынешних консолях. Представленные чипы работают на скорости ввода/вывода равной 8 Гб/с на контакт, что более чем в 4 раза превосходит скорости памяти DDR3.

С выпуском 20 нм памяти GDDR5 ёмкостью 8 Гб, Samsung завершила свою линейку решений памяти объёмом 8 Гб. Далее же компания продолжит увеличение объёмов производства 20 нм памяти в различных плотностях, равных 4 Гб, 6 Гб и 8 Гб, а также надеется и впредь увеличивать ёмкости чипов для сохранения своих лидирующих позиций.