Компания Samsung Electronics представила новый тип карты памяти, которая, по словам производителя, позволит цифровым устройствам работать быстрее благодаря ускоренному сохранению данных.

Как заявляют представители Samsung, чип PRAM позволяет хранить записанную информацию даже тогда, когда основное электронное устройство выключено, не говоря уже о том, что эта микросхема работает в 30 раз быстрее традиционной флэш-карты. Новый чип появится в продаже в 2008 году, передает Associated Press.

В настоящее время в электронных устройствах широко используется два основных типа флэш-карт «постоянной» памяти — NOR и NAND.

Карты типа NOR вполне подходят для непосредственной работы с приложениями, однако имеют меньшую скорость и довольно высокую цену, в то время как карты NAND предполагают большую емкость.

Как уверяют представители Samsung, в PRAM были применены диоды вертикального типа и трехмерная кристаллическая структура, что позволило добиться минимальных размеров чипа. В отличие от NOR и NAND, карты PRAM не требуют предварительного удаления старых данных перед записью новых.

Также в понедельник компания Samsung представила 32-гигабитную флэш-карту NAND, основанную на улучшенной 40-нанометрической технологии. Размер самого маленького компонента микросхемы составляет 40 нанометров. До настоящего момента основная часть флэш-карт Samsung выполнялась на базе 70-нанометрической технологии. Применение улучшенной технологии позволит повысить емкость полупроводникового чипа, а также снизить потребляемую им мощность.

Стоит отметить, что на данный момент компания Samsung является лидером в производстве карт памяти. Доходы компании, штаб-квартира которой расположена в Сувоне (Южная Корея), в прошлом году составилм 7,64 трлн вон ($8 млрд), тогда как в 2005 году этот показатель равнялся 57,46 трлн вон ($60 млрд).